JD(晶导微)TVS二极管三极管整流桥全系列-亿配芯城-芯片产品
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    2024-04

    晶导微 KBP310 3A1000V大功率整流桥KBP的技术和方案应用介绍

    晶导微 KBP310 3A1000V大功率整流桥KBP的技术和方案应用介绍

    标题:晶导微KBP310 3A1000V大功率整流桥KBP的技术和方案应用介绍 随着电力电子技术的发展,晶导微的KBP310 3A1000V大功率整流桥KBP已成为业界广泛使用的产品。KBP系列整流桥具有高效率、高可靠性、低噪音和长寿命等优点,适用于各种大功率电源转换应用。 一、技术特点 KBP310整流桥采用了先进的晶导微技术,具有以下特点: 1. 高压设计:KBP310整流桥能在高达1000V的电压下稳定工作,适用于各种高压电源应用。 2. 高效转换:KBP310整流桥采用先进的功率半导体

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    2024-04

    晶导微 KBP306 3A600V大功率整流桥KBP的技术和方案应用介绍

    晶导微 KBP306 3A600V大功率整流桥KBP的技术和方案应用介绍

    标题:晶导微KBP306 3A600V大功率整流桥KBP的技术和方案应用介绍 随着电子技术的不断发展,大功率整流桥在电力电子领域的应用越来越广泛。晶导微的KBP306 3A600V大功率整流桥,以其卓越的性能和可靠性,得到了广泛的应用。本文将介绍KBP306的技术和方案应用。 一、KBP306的技术特点 KBP306是一款采用晶导微独特设计的3A600V大功率整流桥,具有高电流、低损耗、高效率等特点。其工作频率高,能够快速响应负载变化,减少了系统的功耗和发热量。此外,KBP306还具有较高的浪

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    2024-04

    晶导微 KBP302 3A200V大功率整流桥KBP的技术和方案应用介绍

    晶导微 KBP302 3A200V大功率整流桥KBP的技术和方案应用介绍

    随着电力电子技术的发展,晶导微的KBP302大功率整流桥以其独特的KBP技术,在各种应用中展现出卓越的性能。KBP302整流桥是一款3A@200V的产品,具有高效率、低噪音、低发热、体积小等优点,特别适合于各种大功率电源设备。 一、KBP技术介绍 KBP技术是晶导微公司自主研发的一种新型整流技术。该技术通过优化电路设计,提高了整流桥的效率,降低了噪音和发热,同时也增强了产品的可靠性。KBP技术的主要特点在于其高电压大电流的能力,适用于各种大功率电源设备。 二、方案应用介绍 1. 电源转换器:K

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    2024-04

    晶导微 KBP3005 3A50V大功率整流桥KBP的技术和方案应用介绍

    晶导微 KBP3005 3A50V大功率整流桥KBP的技术和方案应用介绍

    标题:晶导微KBP3005 3A50V大功率整流桥KBP的技术和方案应用介绍 随着电子技术的不断发展,大功率整流桥在电力电子领域的应用越来越广泛。晶导微的KBP3005 3A50V大功率整流桥,以其卓越的性能和可靠性,成为了众多应用场景的优选方案。本文将详细介绍KBP3005的技术特点和方案应用。 一、技术特点 KBP3005采用了晶导微自主研发的先进技术,具有以下特点: 1. 高效能:KBP3005具有高导通电阻和低损耗,能够有效降低整流电路的功耗,提高电源系统的效率。 2. 宽电压范围:K

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    2024-04

    晶导微 KBP208G 2A800V大功率整流桥KBP的技术和方案应用介绍

    晶导微 KBP208G 2A800V大功率整流桥KBP的技术和方案应用介绍

    标题:晶导微KBP208G 2A800V大功率整流桥KBP技术的应用介绍 随着电力电子技术的发展,大功率整流桥在各个领域的应用越来越广泛。晶导微的KBP208G 2A800V大功率整流桥,以其独特的KBP技术,成为了市场上的明星产品。本文将深入探讨KBP208G整流桥的KBP技术及其方案应用。 首先,我们来了解一下KBP技术。KBP技术是一种独特的电路设计,它通过优化导通时间、开通和关断过程,以及降低反向恢复时间,从而提高了整流桥的效率、可靠性以及高温性能。这种技术使得KBP208G整流桥在各

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    2024-04

    晶导微 KBP204G 2A400V大功率整流桥KBP的技术和方案应用介绍

    晶导微 KBP204G 2A400V大功率整流桥KBP的技术和方案应用介绍

    标题:晶导微KBP204G 2A400V大功率整流桥KBP技术及其应用介绍 随着电子技术的飞速发展,大功率整流桥在各个领域的应用越来越广泛。晶导微的KBP204G 2A400V大功率整流桥,以其卓越的性能和可靠性,成为了众多行业的不二之选。本文将深入探讨KBP204G整流桥的技术特点和方案应用。 一、KBP204G整流桥的技术特点 KBP204G整流桥采用了晶导微的专利技术,具有高耐压、大电流、低损耗的特点。首先,其额定电压高达400V,能够承受较大的电压波动,适用于各种高电压场合。其次,其额

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    2024-04

    晶导微 KBP201G 2A100V大功率整流桥KBP的技术和方案应用介绍

    晶导微 KBP201G 2A100V大功率整流桥KBP的技术和方案应用介绍

    标题:晶导微KBP201G 2A100V大功率整流桥KBP技术的应用和方案介绍 随着电子技术的快速发展,大功率整流桥在各种电源和电力转换系统中扮演着重要的角色。晶导微的KBP201G 2A100V大功率整流桥,以其卓越的性能和稳定性,成为了众多应用的首选。本文将深入探讨KBP201G整流桥的技术特点和方案应用。 首先,KBP201G整流桥采用了先进的晶导微技术,具有高效率、低噪音、耐高温等特点。其内部结构紧凑,散热性能优良,适用于各种恶劣的工作环境。同时,KBP201G整流桥具有高输入电流容量

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    2024-04

    晶导微 KBP206 2A600V大功率整流桥KBP的技术和方案应用介绍

    晶导微 KBP206 2A600V大功率整流桥KBP的技术和方案应用介绍

    标题:晶导微KBP206 2A600V大功率整流桥KBP技术及其应用介绍 随着电力电子技术的发展,大功率整流电路在各个领域的应用越来越广泛。晶导微的KBP206 2A600V大功率整流桥,以其卓越的性能和可靠的技术,成为了众多行业的不二之选。本文将深入探讨KBP206整流桥的关键技术及其方案应用。 一、KBP206整流桥的技术特点 KBP206整流桥采用了晶导微的专利技术,具有高效率、低噪音、耐高压等优点。其核心元件采用了高质量的半导体材料,通过精密的制造工艺和严格的品质控制,确保了产品的稳定

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    2024-04

    晶导微 KBP202 2A200V大功率整流桥KBP的技术和方案应用介绍

    晶导微 KBP202 2A200V大功率整流桥KBP的技术和方案应用介绍

    标题:晶导微KBP202 2A200V大功率整流桥KBP技术及其应用介绍 随着电子技术的不断发展,大功率整流桥在电力电子领域的应用越来越广泛。晶导微的KBP系列整流桥,以其优良的性能和可靠性,得到了广泛的应用。本文将介绍KBP202型号的2A200V大功率整流桥KBP技术及其应用方案。 一、KBP技术 KBP系列整流桥,采用晶导微自主研发的专利技术,具有高浪涌承受能力、低反向漏电流、高反向电压等特点。KBP202型号的整流桥,额定电流为2A,额定电压为200V,适用于各种大功率电源电路中。 二

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    2024-04

    晶导微 KBP2005 2A50V大功率整流桥KBP的技术和方案应用介绍

    晶导微 KBP2005 2A50V大功率整流桥KBP的技术和方案应用介绍

    标题:晶导微KBP2005 2A50V大功率整流桥KBP的技术和方案应用介绍 随着电子技术的不断发展,大功率整流桥在电力电子领域的应用越来越广泛。晶导微的KBP2005系列2A50V大功率整流桥,以其独特的技术和方案应用,成为了市场上的明星产品。 KBP2005整流桥的特点在于其高电流容量和大电压承受能力。其额定电流高达2A,额定电压则可达到50V,这使得它在许多高功率,大电压的场合中具有广泛的应用前景。此外,KBP2005的导电性能和绝缘性能也得到了显著的提升,使其在各种恶劣环境下都能保持稳

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    2024-04

    晶导微 F12N65 650VMOS场效应管ITO-220ABW的技术和方案应用介绍

    晶导微 F12N65 650VMOS场效应管ITO-220ABW的技术和方案应用介绍

    标题:晶导微 F12N65 650V MOS 场效应管ITO-220ABW的技术与方案应用介绍 一、技术概述 晶导微的 F12N65 650V MOS 场效应管ITO-220ABW是一款高性能的半导体器件,其采用先进的氮化硅或二氧化硅作为绝缘材料,具有高耐压、大电流、低功耗、高频响应快等特点。该器件内部集成有栅极驱动电路和保护电路,使得其性能更加稳定可靠。 二、应用领域 1. 电源电路:F12N65 650V MOS 场效应管可以用于电源电路中,作为输出开关管或保护开关管。在开关电源中,它可以

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    2024-04

    晶导微 D4N65 650VMOS场效应管TO

    晶导微 D4N65 650VMOS场效应管TO

    标题:晶导微D4N65 650VMOS场效应管TO-252W的技术和方案应用介绍 晶导微的D4N65 650V MOS场效应管TO-252W是一种高性能的半导体器件,广泛应用于各种电子设备中。本文将介绍该器件的技术特点和方案应用。 一、技术特点 D4N65 650V MOS场效应管TO-252W具有以下技术特点: 1. 高压性能:该器件能够承受高达650V的电压,适用于需要高电压场合。 2. 快速开关:该器件具有快速开关特性,能够在极短的时间内完成导通和截止。 3. 高效能:该器件具有较高的输