T2G6001528-Q3

图像仅供参考
请参阅产品规格

编号：

772-T2G6001528-Q3

制造商编号：

T2G6001528-Q3

制造商：

Qorvo

客户编号:

说明：

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-6.0GHz 18 Watt 28V GaN

数据表:

T2G6001528-Q3 数据表 (PDF)

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解Qorvo T2G6001528-Q3详情

对比产品 查看对比 (0)

对比产品

添加至项目 | 添加注释：

库存量: 151

库存：

151 可立即发货

× 限制装运

20 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。

最少： 1   倍数： 1

输入数量：

购买

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

数量 单价

总价

× 包装选择

取决于您的订购数量，有些选项可能不可用。

剪切带

产品从完整卷轴带切割成定制数量。

eel™ （添加 ¥15.00 卷轴费）

按照客户指定的数量切割产品卷轴。 所有 eel 订单均不可撤消和退回。

完整卷轴

订购数量必须与制造商的完整卷轴数量相符。 若要购买整个卷轴，请按?的倍数订购。

卷轴和剪切带

以完整卷轴和剪切带的组合订购产品。

卷轴和eel™ （添加 ¥15.00 卷轴费）

以整个卷轴和 eel™ 的组合方式订购产品。

特色产品

QORVO

芯片采购平台功率附加效率为57%（1dB时）。

了解更多

">

规格

找到的产品: 显示类似项

要显示类似产品，至少选中一个复选框

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

显示类似项 已选择的属性: 0

工厂包装数量 ×

工厂包装数量 - 工厂通常发货的包装大小（注意：制造商可能会更改包装大小而不另行通知）。

以“工厂包装数量”的倍数订购对于我们的批量生产客户来说最有效。

在大部分情况下，非常乐意拆分“工厂包装数量”。 （请参见最低订货量和倍数以确认订购要求）

文件

文件 (2)

文件 (2)

筛选文档:

选择文档类型 数据表 (1) PCN (1)

数据表

T2G6001528-Q3 数据表 (PDF)

PCN

Product Change Notification (PDF)

显示所有

显示更少

此功能要求启用JavaScript。

产品合规性

CNHTS: 8541290000 CAHTS: 8542330000 USHTS: 8542330001 JPHTS: 8542330996 KRHTS: 8532331000 MXHTS: 8542330201 ECCN: EAR99

更多信息

T2G GaN HEMT Transistors

Qorvo T2G GaN HEMT Transistors are 15W to 30W (P3dB) discrete Gallium-Nitride (GaN) on Silicon Carbide (SiC) High Electron Mobility Transistors (HEMT) which operate from DC to 3.5GHz and 6.0GHz. These devices are constructed with Qorvo's proven TQGaN25 process, which features advanced field plate techniques to optimize power and efficiency at high drain bias operating conditions. This optimization can potentially lower system costs in terms of fewer amplifier line-ups and lower thermal management costs.

QPD GaN射频晶体管

Qorvo QPD GaN射频晶体管可用于Doherty架构，适用于宏蜂窝高效率系统的基站功率放大器的最后一级。这些GaN晶体管是分立式碳化硅基氮化镓 (GaN on SiC) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)，设有单级匹配功率放大器晶体管。典型应用包括W-CDMA/LTE、宏蜂窝基站、有源天线和通用应用。

客户还购买了

图像 制造商零件编号 描述 库存