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NXP Semiconductors MMZ27333BT1
发布日期:2024-01-10 16:39     点击次数:95

MMZ27333BT1

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编号:

841-MMZ27333BT1

制造商编号:

MMZ27333BT1

制造商:

NXP Semiconductors

NXP Semiconductors

客户编号:

说明:

射频放大器 InGaP HBT Linear Amplifier, 1500-2700 MHz, 35 dB, 33 dBm

数据表:

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¥-.--

封装:

整卷卷轴(请按1000的倍数订购)

剪切带

eel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量 单价

总价

剪切带/eel™ † 1 ¥76.8061 ¥76.81 10 ¥69.4046 ¥694.05 25 ¥66.2293 ¥1,655.73 100 ¥57.4379 ¥5,743.79 250 ¥54.918 ¥13,729.50 500 ¥50.0364 ¥25,018.20 整卷卷轴(请按1000的倍数订购) 1,000 ¥40.0246 ¥40,024.60 2,000 ¥39.9455 ¥79,891.00

† ¥15.00 eel™费将被加上并在购物车计算。所有eel™订单均不可撤消和退回。 ↩

× 包装选择

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剪切带

产品从完整卷轴带切割成定制数量。


eel™ (添加 ¥15.00 卷轴费)

按照客户指定的数量切割产品卷轴。 所有 eel 订单均不可撤消和退回。


完整卷轴

订购数量必须与制造商的完整卷轴数量相符。 若要购买整个卷轴,请按1000的倍数订购。


卷轴和剪切带

以完整卷轴和剪切带的组合订购产品。


卷轴和eel™ (添加 ¥15.00 卷轴费)

以整个卷轴和 eel™ 的组合方式订购产品。

特色产品

NXP

规格

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产品属性 属性值 选择属性 制造商: NXP 产品种类: 射频放大器 RoHS:  详细信息 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: QFN-24 类型: Power Amplifiers 技术: InGaP 工作频率: 1.5 GHz to 2.7 GHz P1dB - 压缩点: 32.2 dBm 增益: 35.8 dB 工作电源电压: 5 V 工作电源电流: 430 mA 最小工作温度: - 40 C 最大工作温度: + 85 C 系列: MMZ27333B 封装: Reel 封装: Cut Tape 封装: eel 商标: NXP Semiconductors 输入返回损失: 17 dB 通道数量: 3 Channel 产品类型: RF Amplifier 工厂包装数量: 工厂包装数量: 1000 子类别: Wireless & RF Integrated Circuits 测试频率: 2.6 GHz 零件号别名: 935320796147 单位重量: 34.600 mg

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Declaration of Compliance - RoHS Declaration (PDF) Material Composition (PDF) Statement on EU REACH Provisions (PDF)

产品合规性

CNHTS: 8542339000 CAHTS: 8542330000 USHTS: 8542330001 TARIC: 8542330000 MXHTS: 8542330201 ECCN: EAR99

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NXP RF-IF 解决方案

NXP RF-IF 解决方案使设计人员能够满足最高性能规格,同时仍能保留对效率、功率、耐用度、一致性、集成水平等方面进行折中的可能性,从而能满足要求最为严苛的 RF 应用的需要。NXP RF-IF 产品系列适用于大部分通信和传输系统,使设计人员能轻松找到可满足他们特定需要的解决方案。NXP RF-IF 解决方案含有 SA6xx 系列 RF/IF 构建模块,是多种手持式 RF 产品的理想选择。SA6xx 解决方案采用小尺寸封装,节约 PCB 空间,同时还提供了更好的 RF 性能。
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